مندرجہ ذیل پوسٹ میں موسفٹ IRF3205 کی اہم خصوصیات کی وضاحت کی گئی ہے جو بنیادی طور پر بڑے پیمانے پر 110 Amps میں ڈرین کرنٹ کے ساتھ درجہ بندی کی گئی ہے ، اور 55V تک کا وولٹیج ہے ، جو inverter ، موٹر کنٹرول ، ہیلی کاپٹر ، اور کنورٹر ایپلی کیشنز کے لئے موزوں ہے۔

اہم خصوصیات

IRF3205 انٹرنیشنل ریکٹیفیر سے تعلق رکھنے والا N چینل HEXFET® پاور MOSFETs ہائی سلیکشن پروسیسنگ حل نافذ کرتا ہے تاکہ سلیکن فی جگہ کم سے کم مزاحمت کو حاصل کیا جاسکے۔

یہ فائدہ ، تیز رفتار سے بدلنے والی شرح اور ناہموار نظام کی ترتیب کے ساتھ جو ہیکسفیٹ پاور مووسٹیٹ مقبول ہے ، ڈویلپر کو غیر معمولی لاگت سے موثر اور قابل اعتماد پروڈکٹ فراہم کرتا ہے جو پروگراموں کی صف میں استعمال ہوتا ہے۔

TO-220 بنڈل کو عالمی سطح پر زیادہ تر تجارتی صنعتی مقاصد کے ل power بجلی کی کھپت کے مراحل میں 50 واٹ تک کی حمایت کی جاتی ہے۔ کم سے کم تھرمل مزاحمت اور TO-220 کی کم پیکٹ قیمت پوری مارکیٹ میں اس کی وسیع پیمانے پر شناخت کے لئے ایک کردار ادا کرتی ہے۔

تکنیکی خصوصیات

اس کی تکنیکی وضاحتیں درج ذیل اعداد و شمار سے سمجھی جاسکتی ہیں:

لگاتار ڈرین کرینٹ ، VGS @ 10V = 110 A
نبض والا نالی کا موجودہ = 390 A
25 ° C پر بجلی کی بازی = 200 W
لکیری ڈیریٹنگ فیکٹر = 1.3 ڈبلیو / ° C
گیٹ ٹو ماخذ وولٹیج = ± 20 V
برفانی تودہ موجودہ = 62 A
بار بار برفانی تودو توانائی = 20 mJdv / تاریخ
چوٹی ڈایڈوڈ ریکوری DVD / dt = 5.0 V / ns
آپریٹنگ جنکشن اور سولڈرنگ درجہ حرارت ، 10 سیکنڈ = 300 کے لئے (کیس سے 1.6 ملی میٹر) ° C آپ کا حوالہ دے سکتے ہیں اصل ڈیٹا شیٹ مزید معلومات کے ل

پن آؤٹ کی تفصیلات

مذکورہ تصویر میں IRF3205 کے پن آؤٹ کی تفصیلات دیکھی جاسکتی ہیں۔

“فرمی ڈیراک تقسیم کی تقریب ”

آلہ کو اپنی طباعت شدہ طرف کے ساتھ سیدھا آپ کی طرف تھام کر ، بائیں جانب کا پٹ گیٹ ہوگا ، مرکز نالی ہو گا ، جبکہ دائیں طرف کا پن آؤٹ موسفٹ کا ذریعہ ہوگا

ایک عام ایپلی کیشن

IRF3205 مسفٹ استعمال کرکے 500 سے 5000 واٹ انورٹر بنانا۔

میری پچھلی پوسٹوں میں سے ایک میں پچاس واٹ انورٹر پر تبادلہ خیال کیا جاسکتا ہے جس کو مندرجہ بالا قسم کے ذریعہ اس کے MOSFETs کی جگہ لے کر آسانی سے 500 واٹ انورٹر میں آسانی سے تبدیل کیا جاسکتا ہے۔